NCS20092DR2G

ON Semiconductor 安森美电子元器件分类

运算放大器 - 运放 R2R IO DUAL AMPLIFIE

通用放大器 2 电路满摆幅 8-SOIC

得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

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NCS20092DR2G

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运算放大器 - 运放 R2R IO DUAL AMPLIFIE

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Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O 5.5V 8-Pin SOIC N T/R

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Op Amp Dual GP R-R I/O 5.5V 8-Pin SOIC N T/R

NCS20092DR2G中文资料参数规格

技术参数

供电电流 23 µA

电路数 2

耗散功率 0.2 W

共模抑制比 55 dB

增益频宽积 350 kHz

输入补偿电压 500 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Battery Powered / Low Quiescent Current Applications, Low Cost Current Sensing, Unity Gain Buffer

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

NCS20092DR2G引脚图与封装图

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