G2306
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GTM
电子元器件分类
G2306中文资料参数规格
封装参数
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 12v
最大漏极电流Id Drain Current 5.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.03Ω/Ohm @5.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.38W
G2306引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| G2306 | GTM | G2306 N沟道MOSFET 20V 5.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 2306 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS | 搜索库存 |