T86C475M020ESSS
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
被动器件
T86C475M020ESSS中文资料参数规格
技术参数
电容 4.7 μF
等效串联电阻ESR 2 Ω
容差 ±20 %
额定电压 20 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 6032
外形尺寸
封装 6032
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
T86C475M020ESSS引脚图与封装图
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在线购买T86C475M020ESSS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| T86C475M020ESSS | Vishay Semiconductor 威世 | CAP TANT 4.7uF 20V 20% 2312 | 搜索库存 |
替代型号T86C475M020ESSS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： T86C475M020ESSS 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 2312 | 当前型号 | CAP TANT 4.7uF 20V 20% 2312 | 当前型号 |
| 型号： 893D475X0020C2TE3 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | CAP TANT 4.7uF 20V 20% 2312 | T86C475M020ESSS和893D475X0020C2TE3的区别 |
