HCZ181MBCDF0KR
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
被动器件
HCZ181MBCDF0KR中文资料参数规格
技术参数
电容 180 pF
容差 ±20 %
额定电压 3000 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
HCZ181MBCDF0KR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HCZ181MBCDF0KR | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Ceramic 180pF 3000V K2000 20% 8 X 4mm Radial 10mm 85℃ Bulk | 搜索库存 |