199D475X0016B7V1E3
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
被动器件
199D475X0016B7V1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 4.70 µF
容差 ±20 %
额定电压 16 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D475X0016B7V1E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买199D475X0016B7V1E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D475X0016B7V1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 4.7uF 16V 20% 5 X 10.12mm Radial 6.35mm 125℃ Bulk | 搜索库存 |
替代型号199D475X0016B7V1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 199D475X0016B7V1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 4.7uF 20per | 当前型号 | Cap Tant Solid 4.7uF 16V 20% 5 X 10.12mm Radial 6.35mm 125℃ Bulk | 当前型号 |