199D336X0035F6V1E3
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Vishay Semiconductor
威世
被动器件
199D336X0035F6V1E3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35.0 V
电容 33 µF
容差 ±20 %
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
介质材料 Tantalum
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D336X0035F6V1E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D336X0035F6V1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 33uF 35V 20% 9.6 X 19mm Radial 5.08mm 125℃ Bulk | 搜索库存 |
替代型号199D336X0035F6V1E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 199D336X0035F6V1E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 33uF 35V 20per | 当前型号 | Cap Tant Solid 33uF 35V 20% 9.6 X 19mm Radial 5.08mm 125℃ Bulk | 当前型号 |
| 型号： 199D336X9035F6V1E3 品牌： 威世 封装： 33uF 35V 10per | 功能相似 | VISHAY 199D336X9035F6V1E3 钽电容, 33uF, 35V, 径向引线 | 199D336X0035F6V1E3和199D336X9035F6V1E3的区别 |