70V658S12BFI8
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Integrated Device Technology
艾迪悌
电子元器件分类
70V658S12BFI8中文资料参数规格
技术参数
电源电压 3.15V ~ 3.45V
封装参数
引脚数 208
封装 LFBGA-208
外形尺寸
长度 15.0 mm
宽度 15.0 mm
封装 LFBGA-208
厚度 1.40 mm
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
70V658S12BFI8引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 70V658S12BFI8 | Integrated Device Technology 艾迪悌 | IC SRAM 2Mbit 12NS 208CABGA | 搜索库存 |
替代型号70V658S12BFI8
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 70V658S12BFI8 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： CABGA 208Pin | 当前型号 | IC SRAM 2Mbit 12NS 208CABGA | 当前型号 |
| 型号： 70V658S12BFGI8 品牌： 艾迪悌 封装： CABGA 208Pin | 完全替代 | IC SRAM 2Mbit 12NS 208CABGA | 70V658S12BFI8和70V658S12BFGI8的区别 |
| 型号： 70V658S12BCI 品牌： 艾迪悌 封装： CABGA 256Pin | 类似代替 | Dual-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256 | 70V658S12BFI8和70V658S12BCI的区别 |