70V657S12DRI
数据手册.pdf
Integrated Device Technology
艾迪悌
主动器件
70V657S12DRI中文资料参数规格
技术参数
存取时间 12 ns
电源电压 3.15V ~ 3.45V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 208
封装 BFQFP-208
外形尺寸
长度 28.0 mm
宽度 28.0 mm
封装 BFQFP-208
厚度 3.50 mm
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
70V657S12DRI引脚图与封装图
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在线购买70V657S12DRI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 70V657S12DRI | Integrated Device Technology 艾迪悌 | SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 12ns 208Pin PQFP Tray | 搜索库存 |
替代型号70V657S12DRI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 70V657S12DRI 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： 208-BFQFP 208Pin | 当前型号 | SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 12ns 208Pin PQFP Tray | 当前型号 |
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