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70T633S10BCI

70T633S10BCI

数据手册.pdf
Integrated Device Technology 艾迪悌 电子元器件分类
70T633S10BCI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 2.4V ~ 2.6V

封装参数

引脚数 256

封装 LBGA-256

外形尺寸

长度 17.0 mm

宽度 17.0 mm

封装 LBGA-256

厚度 1.40 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

70T633S10BCI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
70T633S10BCI Integrated Device Technology 艾迪悌 SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 256Pin CABGA Tray 搜索库存
替代型号70T633S10BCI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 70T633S10BCI

品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌

封装: CABGA 256Pin

当前型号

SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 256Pin CABGA Tray

当前型号

型号: 70T3339S200BCG

品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 256Pin

完全替代

静态随机存取存储器 512K X 18 DP

70T633S10BCI和70T3339S200BCG的区别

型号: 70T3339S133BCI

品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 256Pin

完全替代

静态随机存取存储器 512K X 18 DP

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型号: 70T633S10BC8

品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 256Pin

完全替代

静态随机存取存储器 512K X 18 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM

70T633S10BCI和70T633S10BC8的区别