70T659S10BCI
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Integrated Device Technology
艾迪悌
电子元器件分类
70T659S10BCI中文资料参数规格
技术参数
电源电压 2.4V ~ 2.6V
封装参数
引脚数 256
封装 LBGA-256
外形尺寸
长度 17.0 mm
宽度 17.0 mm
封装 LBGA-256
厚度 1.40 mm
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube, Rail
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
70T659S10BCI引脚图与封装图
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在线购买70T659S10BCI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 70T659S10BCI | Integrated Device Technology 艾迪悌 | 128K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's | 搜索库存 |
替代型号70T659S10BCI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 70T659S10BCI 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： CABGA 256Pin | 当前型号 | 128K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's | 当前型号 |
| 型号： 70V659S10BFG 品牌： 艾迪悌 封装： CABGA 208Pin | 功能相似 | Dual-Port SRAM, 128KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208 | 70T659S10BCI和70V659S10BFG的区别 |