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70T3339S200BCG

70T3339S200BCG

数据手册.pdf
Integrated Device Technology 艾迪悌 电子元器件分类
70T3339S200BCG中文资料参数规格
技术参数

存取时间 3.4 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.4V ~ 2.6V

封装参数

引脚数 256

封装 CABGA-256

外形尺寸

长度 17 mm

宽度 17 mm

高度 1.4 mm

封装 CABGA-256

厚度 1.40 mm

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

70T3339S200BCG引脚图与封装图
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在线购买70T3339S200BCG
型号 制造商 描述 购买
70T3339S200BCG Integrated Device Technology 艾迪悌 静态随机存取存储器 512K X 18 DP 搜索库存
替代型号70T3339S200BCG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 70T3339S200BCG

品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌

封装: CABGA 256Pin

当前型号

静态随机存取存储器 512K X 18 DP

当前型号

型号: 70T633S10BC8

品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 256Pin

完全替代

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型号: 70T633S10BCI

品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 256Pin

完全替代

SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 256Pin CABGA Tray

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品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 256Pin

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