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71V65603S100BGI

71V65603S100BGI

数据手册.pdf
Integrated Device Technology 艾迪悌 电子元器件分类

IC SRAM 9Mbit 100MHz 119BGA

SRAM - Synchronous, SDR ZBT Memory IC 9Mb 256K x 36 Parallel 100MHz 5ns 119-PBGA 14x22


得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA


安富利:
3.3V 256K X 36 ZBT Synchronous 3.3V I/O PipeLined SRAM


71V65603S100BGI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

引脚数 119

封装 BGA-119

外形尺寸

长度 14.0 mm

宽度 22.0 mm

封装 BGA-119

厚度 2.15 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

71V65603S100BGI引脚图与封装图
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