电源电压 3.15V ~ 3.45V
引脚数 256
封装 LBGA-256
长度 17.0 mm
宽度 17.0 mm
封装 LBGA-256
厚度 1.40 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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70V657S12BCGI | Integrated Device Technology 艾迪悌 | IC SRAM 1.125Mbit 12NS 256CABGA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 70V657S12BCGI 品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌 封装: CABGA 256Pin | 当前型号 | IC SRAM 1.125Mbit 12NS 256CABGA | 当前型号 | |
型号: 70V657S12BCI 品牌: 艾迪悌 封装: CABGA 256Pin | 完全替代 | Dual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256 | 70V657S12BCGI和70V657S12BCI的区别 | |
型号: 70V657S12DRI 品牌: 艾迪悌 封装: 208-BFQFP 208Pin | 类似代替 | SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 12ns 208Pin PQFP Tray | 70V657S12BCGI和70V657S12DRI的区别 | |
型号: 70V657S12BFI 品牌: 艾迪悌 封装: CABGA 208Pin | 类似代替 | 静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM | 70V657S12BCGI和70V657S12BFI的区别 |