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70V657S12BCGI

70V657S12BCGI

数据手册.pdf
Integrated Device Technology 艾迪悌 电子元器件分类
70V657S12BCGI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3.15V ~ 3.45V

封装参数

引脚数 256

封装 LBGA-256

外形尺寸

长度 17.0 mm

宽度 17.0 mm

封装 LBGA-256

厚度 1.40 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

70V657S12BCGI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
70V657S12BCGI Integrated Device Technology 艾迪悌 IC SRAM 1.125Mbit 12NS 256CABGA 搜索库存
替代型号70V657S12BCGI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 70V657S12BCGI

品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌

封装: CABGA 256Pin

当前型号

IC SRAM 1.125Mbit 12NS 256CABGA

当前型号

型号: 70V657S12BCI

品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 256Pin

完全替代

Dual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256

70V657S12BCGI和70V657S12BCI的区别

型号: 70V657S12DRI

品牌: 艾迪悌

封装: 208-BFQFP 208Pin

类似代替

SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 12ns 208Pin PQFP Tray

70V657S12BCGI和70V657S12DRI的区别

型号: 70V657S12BFI

品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 208Pin

类似代替

静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM

70V657S12BCGI和70V657S12BFI的区别