70V3589S133BCI
数据手册.pdf
Integrated Device Technology
艾迪悌
主动器件
70V3589S133BCI中文资料参数规格
技术参数
存取时间 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 3.15V ~ 3.45V
电源电压Max 3.45 V
电源电压Min 3.15 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 256
封装 CABGA-256
外形尺寸
长度 17 mm
宽度 17 mm
高度 1.4 mm
封装 CABGA-256
厚度 1.40 mm
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
70V3589S133BCI引脚图与封装图
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在线购买70V3589S133BCI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 70V3589S133BCI | Integrated Device Technology 艾迪悌 | SRAM Chip Sync Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 15ns/4.2ns 256Pin CABGA Tray | 搜索库存 |
替代型号70V3589S133BCI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 70V3589S133BCI 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： CABGA 256Pin | 当前型号 | SRAM Chip Sync Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 15ns/4.2ns 256Pin CABGA Tray | 当前型号 |
| 型号： 70V3589S133BC8 品牌： 艾迪悌 封装： CABGA 256Pin | 完全替代 | 静态随机存取存储器 64K X 36 3.3V SYNC DP RAM | 70V3589S133BCI和70V3589S133BC8的区别 |
| 型号： 70V3589S133DRG 品牌： 艾迪悌 封装： PQFP 208Pin | 类似代替 | IC SRAM 2Mbit 133MHz 208QFP | 70V3589S133BCI和70V3589S133DRG的区别 |
| 型号： 70V3589S133DRG8 品牌： 艾迪悌 封装： PQFP 208Pin | 类似代替 | Application Specific SRAM, 64KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28MM, 3.5MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-208 | 70V3589S133BCI和70V3589S133DRG8的区别 |