71V35761S200BG

Integrated Device Technology 艾迪悌主动器件

SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.1ns 119Pin BGA Tray

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 4.5Mb 128K x 36 Parallel 200MHz 3.1ns 119-PBGA 14x22

得捷:
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

贸泽:
SRAM 4 MEG PBSRAM W/ FAST TC

Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.1ns 119-Pin BGA Tray

罗切斯特:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-bit 128K x 36 3.1ns 119-Pin BGA Tray

71V35761S200BG中文资料参数规格

技术参数

存取时间 3.1 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

电源电压Max 3.465 V

电源电压Min 3.135 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 119

封装 BGA-119

外形尺寸

长度 14 mm

宽度 22 mm

高度 2.15 mm

封装 BGA-119

厚度 2.15 mm

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

71V35761S200BG引脚图与封装图

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