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6N137-560E

6N137-560E

数据手册.pdf
AVAGO Technologies 安华高科 电子元器件分类

高速光耦合器 10 Mb/s 3750Vrms

Description

The 6N137, HCPL-26xx/06xx/4661, HCNW137/26x1 are optically coupled gates that combine a GaAsP light emitting diode and an integrated high gain photo etector.

An enable input allows the detector to be strobed. The output of the detector IC is an open collector Schottky clamped transistor. The internal shield provides a guaranteed common mode transient immunity specification

up to 15,000 V/µs at Vcm = 1000 V.

This unique design provides maximum AC and DC circuit isolation while achieving TTL compatibility. The optocoupler AC and DC operational param e ters are guaranteed from -40 °C to +85 °C allowing troublefree system performance.

Features

• 15 kV/µs minimum Common Mode Rejection CMR

at Vcm= 1 kV for HCNW2611, HCPL-2611, HCPL-4661, HCPL-0611, HCPL-0661

• High speed: 10 MBd typical

• LSTTL/TTL compatible

• Low input current capability: 5 mA

• Guaranteed AC and DC performance over temperature: -40 °C to +85 °C

• Available in 8-Pin DIP, SOIC-8, widebody packages

• Strobable output single channel products only

• Safety approval

UL recognized - 3750 Vrms for 1 minute and 5000 Vrms for 1 minute per UL1577 CSA approved

6N137-560E中文资料参数规格
技术参数

输入电压DC 1.50 V

输出电流 50 mA

通道数 1

正向电压 1.5 V

耗散功率 85 mW

数据速率 10.0 Mbps

上升时间 24 ns

隔离电压 2500 Vrms

正向电流 10 mA

击穿电压 5 V

下降时间 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

长度 9.65 mm

宽度 6.35 mm

高度 3.56 mm

封装 PDIP-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

6N137-560E引脚图与封装图
6N137-560E引脚图

6N137-560E引脚图

6N137-560E封装图

6N137-560E封装图

6N137-560E封装焊盘图

6N137-560E封装焊盘图

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