4N26
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
4N26中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 3 µs
通道数 1
正向电压 1.2 V
耗散功率 250 mW
上升时间 1.2 µs
隔离电压 1500 Vrms
正向电流 80 mA
输出电压Max 30 V
正向电压Max 1.5 V
正向电流Max 60 mA
下降时间 1.3 µs
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 6
封装 DIP-6
外形尺寸
高度 2.54 mm
封装 DIP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 100℃
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
4N26引脚图与封装图
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