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3SK194
HITACHI 日立 电子元器件分类

3SK194 N沟道MOSFET 15V 35mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 IY UHF电视调谐器RF放大器

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 15V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 35mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| -1/-1.5 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET VHF/UHF TV tuner RF amplifier 描述与应用| 硅N沟道双栅MOS FET 特性 硅N沟道双栅MOS FET 甚高频/ UHF电视调谐RF放大器


Win Source:
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET


3SK194中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

其他

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 15V

最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 10V

最大漏极电流Id Drain Current 35mA

开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1/-1.5

耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W

规格书PDF __

3SK194引脚图与封装图
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3SK194 HITACHI 日立 3SK194 N沟道MOSFET 15V 35mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 IY UHF电视调谐器RF放大器 搜索库存