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Renesas Electronics 瑞萨电子 电子元器件分类

3SK318 N沟道MOSFET 6V 20mA SOT-343/CMPAK-4/SC70-4 marking/标记 YB 交叉调制特性/低电压工作/低噪音

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features •Low noise characteristics; NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz •Excellent cross modulation characteristics •Capable low voltage operation;


3SK318中文资料参数规格
封装参数

封装 CMPAK-4

外形尺寸

封装 CMPAK-4

其他

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 6V

最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 6V

最大漏极电流Id Drain Current 20mA

开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.0V

耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W

规格书PDF __

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

3SK318引脚图与封装图
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