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Toshiba 东芝 分立器件
3SK320中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

其他

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 6V

最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 4V

最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A

开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -8--1.4V

耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W

规格书PDF __

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

3SK320引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
3SK320 Toshiba 东芝 3SK320 N沟道MOSFET 6V 100mA/0.1A SOT-343/SMQ/SC-61 marking/标记 U7 搜索库存