3SK199
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
封装 SOT-143
封装 SOT-143
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 13.5V
最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0-1/0-1.2
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
规格书PDF __
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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3SK199 | Toshiba 东芝 | 3SK199 N沟道MOSFET 13.5V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UM 高级交叉调制/低反向传输电容/低噪声增益控制放大器 | 搜索库存 |