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3SK199
Toshiba 东芝 分立器件

3SK199 N沟道MOSFET 13.5V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UM 高级交叉调制/低反向传输电容/低噪声增益控制放大器

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 13.5V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 30mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0-1/0-1.2 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Silicon N-Channel Dual Gate MOS TYPE TV TUNER,VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS FM TUNER APPLICATIONS Superior cross modulation performance Low reverse transfer capacitance Low noise figure 描述与应用| 硅N沟道双栅MOS型 电视调谐器,甚高频射频放大器应用 FM调谐器应用 高级交叉调制性能 低反向传输电容 低噪声系数

3SK199中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

其他

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 13.5V

最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 8V

最大漏极电流Id Drain Current 30mA

开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0-1/0-1.2

耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W

规格书PDF __

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

3SK199引脚图与封装图
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3SK199 Toshiba 东芝 3SK199 N沟道MOSFET 13.5V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UM 高级交叉调制/低反向传输电容/低噪声增益控制放大器 搜索库存