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3SK232
Toshiba 东芝 电子元器件分类

3SK232 N沟道MOSFET 12.5 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UO 低噪声增益控制放大器/增强典型

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 12.5 \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 30mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-1.4/0.5-1.5 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel Dual Gate MOS Type TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications • Superior cross modulation performance. • Low reverse transfer capacitance.: Crss = 20 fF typ. • Low noise figure.: NF = 1.5dB typ. TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications • Superior cross modulation performance. • Low reverse transfer capacitance.: Crss = 20 fF typ. • Low noise figure.: NF = 1.5dB typ. 描述与应用| 场效应晶体管的硅N沟道双栅MOS类型 电视调谐器,超高频射频放大器应用 •高级交叉调制性能。 •低反向传输电容:CRSS= 20 FF(典型值) •低噪声系数:NF=1.5分贝(典型值) 电视调谐器,超高频射频放大器应用 •高级交叉调制性能。 •低反向传输电容: CRSS= 20 FF(典型值) •低噪声系数:NF=1.5分贝(典型值

3SK232中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

其他

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 12.5

最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 8V

最大漏极电流Id Drain Current 30mA

开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.4-1.4/0.5-1.5

耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W

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符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

3SK232引脚图与封装图
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