3SK249
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
3SK249中文资料参数规格
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-343
外形尺寸
封装 SOT-343
其他
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 12.5V
最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4-1.4/0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
规格书PDF __
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
3SK249引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 3SK249 | Toshiba 东芝 | 3SK249 N沟道MOSFET 12.5V 30mA SOT-343/SMQ/SC-61 marking/标记 UO 低噪音 | 搜索库存 |