3KBP08M-E4/45中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.05V @3A
正向电流Max 3 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SIP-4
外形尺寸
长度 15.24 mm
宽度 5.08 mm
高度 11.68 mm
封装 SIP-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
3KBP08M-E4/45引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| 3KBP08M-E4/45 | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE BRIDGE 3A 800V KBPM | 搜索库存 |