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3SK294TE85L,F

3SK294TE85L,F

数据手册.pdf
Toshiba 东芝 分立器件

RF MOSFET 晶体管,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba

RF MOSFET ,

### MOSFET 晶体管,Toshiba


得捷:
FET RF 12.5V 500MHZ USQ


欧时:
Toshiba Si N沟道 MOSFET 3SK294TE85L,F, 30 mA, Vds=12.5 V, 4引脚 USQ封装


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4-Pin USQ T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4-Pin USQ T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4-Pin USQ T/R


Win Source:
FET RF 12.5V 500MHZ USQ


3SK294TE85L,F中文资料参数规格
技术参数

频率 500 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 100 mW

漏源极电压Vds 12.5 V

增益 26 dB

测试电流 10 mA

输入电容Ciss 2.5pF @6VVds

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

额定电压 12.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

长度 1.25 mm

宽度 2 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-343-4

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

3SK294TE85L,F引脚图与封装图
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