3SK291TE85L,F

Toshiba 东芝主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4Pin SMQ T/R

RF Mosfet N 通道双门 6 V 10 mA 800MHz 22.5dB - SMQ

得捷:
MOSFET N-CH SMQ

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4-Pin SMQ T/R

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4-Pin SMQ T/R

Win Source:
MOSFET N-CH SMQ

3SK291TE85L,F中文资料参数规格

技术参数

频率 800 MHz

额定电流 30 mA

漏源极电压Vds 12.5 V

增益 22.5 dB

测试电流 10 mA

输入电容Ciss 2pF @6VVds

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

额定电压 12.5 V

封装参数

引脚数 4

封装 SC-61AA

外形尺寸

封装 SC-61AA

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

3SK291TE85L,F引脚图与封装图

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