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3N163中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 250 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 375 mW

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 -40.0 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids -50.0 mA

输入电容Ciss 3.5pF @15VVds

额定功率Max 375 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-72

外形尺寸

封装 TO-72

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

3N163引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
3N163 Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET P-CH 40V 0.05A 4Pin TO-206AF 搜索库存