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3LN01C-TB-H

3LN01C-TB-H

数据手册.pdf

N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

N 通道功率 MOSFET,30V,


得捷:
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 3LN01C-TB-H, 150 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 30 V, 2.9 ohm, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.15A 3-Pin CP T/R


Allied Electronics:
3LN01C-TB-H N-channel MOSFET Transistor; 0.15 A; 30 V; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.15A 3-Pin CP T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  3LN01C-TB-H  MOSFET, N-CH, 30V, 0.15A, SOT-23 New


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.15A 3-Pin CP T/R


力源芯城:
0.15A,30V,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP


3LN01C-TB-H中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2.9 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 0.15A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 7pF @10VVds

额定功率Max 250 mW

下降时间 120 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 250mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

3LN01C-TB-H引脚图与封装图
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