SMBJ16CD-M3/I中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 18.1 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SMBJ16CD-M3/I引脚图与封装图
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在线购买SMBJ16CD-M3/I
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMBJ16CD-M3/I | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 16V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol | 搜索库存 |
替代型号SMBJ16CD-M3/I
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMBJ16CD-M3/I 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 16V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol | 当前型号 | |
型号: SMBJ16CD-M3/H 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 功能相似 | ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 16V BIDIR TransZorb 3.5% Tol | SMBJ16CD-M3/I和SMBJ16CD-M3/H的区别 |