RFN1LAM6STR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

快速/超快二极管, 600 V, 800 mA, 单, 1.45 V, 35 ns, 15 A

二极管标准 800mA 表面贴装型 PMDTM

得捷:
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

立创商城:
600V 800mA 25ns

欧时:
Super Fast Diode 800mA 600V SOD-128

e络盟:
快速/超快二极管, 600 V, 800 mA, 单, 1.45 V, 35 ns, 15 A

艾睿:
Diode Switching Si 600V 0.8A 2-Pin PMDT-M T/R

RFN1LAM6STR中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.45V @800mA

反向恢复时间 35 ns

正向电流 800 mA

最大正向浪涌电流（Ifsm） 15 A

正向电压Max 1.45 V

正向电流Max 0.8 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 150℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-128

外形尺寸

封装 SOD-128

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RFN1LAM6STR引脚图与封装图

暂无图片

在线购买RFN1LAM6STR

型号	制造商	描述	购买
RFN1LAM6STR	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	快速/超快二极管, 600 V, 800 mA, 单, 1.45 V, 35 ns, 15 A	搜索库存