PH3330L,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PH3330L,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 62.5W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 75 ns
输入电容Ciss 4840pF @12VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 Power-SO8
外形尺寸
封装 Power-SO8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PH3330L,115引脚图与封装图
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在线购买PH3330L,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PH3330L,115 | NXP 恩智浦 | LFPAK N-CH 30V 100A | 搜索库存 |
替代型号PH3330L,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PH3330L,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： LFPAK N-Channel 30V 100A | 当前型号 | LFPAK N-CH 30V 100A | 当前型号 |
| 型号： PH3330L 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET | PH3330L,115和PH3330L的区别 |