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FDAF62N28
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

280V N沟道MOSFET 280V N-Channel MOSFET

N-Channel 280 V 36A Tc 165W Tc Through Hole TO-3PF


得捷:
MOSFET N-CH 280V 36A TO3PF


立创商城:
N沟道 280V 36A


贸泽:
MOSFET 280V 36A NCH MOSFET


FDAF62N28中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 280 V

额定电流 36.0 A

通道数 1

漏源极电阻 51 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 165 W

输入电容 4.63 nF

栅电荷 100 nC

漏源极电压Vds 280 V

漏源击穿电压 280 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

上升时间 560 ns

输入电容Ciss 4630pF @25VVds

额定功率Max 165 W

下降时间 220 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 165W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDAF62N28引脚图与封装图
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