MSC2712GT1
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MSC2712GT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200
最大电流放大倍数hFE 400
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-59-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SC-59-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MSC2712GT1引脚图与封装图
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在线购买MSC2712GT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MSC2712GT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistor | 搜索库存 |
替代型号MSC2712GT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MSC2712GT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA | 当前型号 | 通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistor | 当前型号 |
| 型号： MSC2712GT1G 品牌： 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | 通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistor | MSC2712GT1和MSC2712GT1G的区别 |
| 型号： MMBT5210 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 50V 500mA 350mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5210 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 30 MHz, 350 mW, 100 mA, 200 hFE | MSC2712GT1和MMBT5210的区别 |