TS613IDWT中文资料参数规格
技术参数
供电电流 11 mA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 2000 mW
共模抑制比 90 dB
增益频宽积 130 MHz
输入补偿电压 1 mV
输入偏置电流 5 µA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压Max 12 V
电源电压Min 5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TS613IDWT引脚图与封装图
暂无图片
替代型号TS613IDWT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TS613IDWT 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： HSOP | 当前型号 | IC OPAMP VFB 130MHz 8SO | 当前型号 |
| 型号： TS613ID 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 40V/us 2Channel | 类似代替 | TS613 系列 6 V 130 MHz 双通道 宽带 运算放大器 - SOIC-8 | TS613IDWT和TS613ID的区别 |
| 型号： TS613IDW 品牌： 意法半导体 封装： HSOP | 类似代替 | 双宽频带运算放大器具有高输出电流 DUAL WIDE BAND OPERATIONAL AMPLIFIER WITH HIGH OUTPUT CURRENT | TS613IDWT和TS613IDW的区别 |
| 型号： TS613IDT 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 40V/us 2Channel | 功能相似 | TS613 系列 6 V 130 MHz 双 宽带 运算放大器 - SOIC-8 | TS613IDWT和TS613IDT的区别 |