TS271BMD中文资料参数规格
技术参数
供电电流 10 µA
电路数 1
通道数 1
共模抑制比 60 dB
增益频宽积 100 kHz
输入补偿电压 250 µV
输入偏置电流 1 pA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
电源电压Max 16 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TS271BMD引脚图与封装图 
TS271BMD封装图
TS271BMD封装焊盘图
在线购买TS271BMD
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TS271BMD | ST Microelectronics 意法半导体 | CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier | 搜索库存 |
替代型号TS271BMD
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TS271BMD 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SO-8 | 当前型号 | CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier | 当前型号 |
| 型号： TS27M2BIDT 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 1MHz 2Channel 8Pin | 类似代替 | TS27L2，TS27L4，TS27M2，微型电源，高电压 CMOS 运算放大器TS27L2、TS27M2（双路）和 TS27L4（四路）CMOS 运算放大器提供极佳的速率消耗比率。低功耗：10 μA/amp（TS27L2，TS27L4），150 μA/amp TS27M2 极佳的电容性负载相位裕度 输出电压可摆幅至接地 电源电压：3 V 至 16 V ### 运算放大器，STMicroelectronics | TS271BMD和TS27M2BIDT的区别 |
| 型号： TS912BIDT 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 8Pin | 功能相似 | STMICROELECTRONICS TS912BIDT 运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 16V, SOIC, 8 引脚 | TS271BMD和TS912BIDT的区别 |