TSH80IDT中文资料参数规格
技术参数
输出电流 ≤55 mA
供电电流 9.8 mA
电路数 1
通道数 1
共模抑制比 72 dB
转换速率 105 V/μs
增益频宽积 65 MHz
输入补偿电压 800 µV
输入偏置电流 6 µA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
3dB带宽 100 MHz
共模抑制比Min 72 dB
电源电压Max 12 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TSH80IDT引脚图与封装图
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在线购买TSH80IDT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TSH80IDT | ST Microelectronics 意法半导体 | WIDE BAND ，轨至轨运算放大器，具有待机功能 WIDE BAND, RAIL to RAIL OPERATIONAL AMPLIFIER WITH STANDBY FUNCTION | 搜索库存 |
替代型号TSH80IDT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TSH80IDT 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC 8Pin | 当前型号 | WIDE BAND ，轨至轨运算放大器，具有待机功能 WIDE BAND, RAIL to RAIL OPERATIONAL AMPLIFIER WITH STANDBY FUNCTION | 当前型号 |
| 型号： TSH80ID 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 118V/us 1Channel | 类似代替 | 宽带，轨到轨具有待机功能的运算放大器 Wide Band, Rail-to-Rail Operational Amplifier with Standby Function | TSH80IDT和TSH80ID的区别 |
| 型号： TSH80IYDT 品牌： 意法半导体 封装： SO-8 | 功能相似 | 宽带，轨到轨具有待机功能的运算放大器 Wide Band, Rail-to-Rail Operational Amplifier with Standby Function | TSH80IDT和TSH80IYDT的区别 |