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SMBJ9.0A-M3/5B

SMBJ9.0A-M3/5B

数据手册.pdf
SMBJ9.0A-M3/5B中文资料参数规格
技术参数

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

SMBJ9.0A-M3/5B引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMBJ9.0A-M3/5B Vishay Semiconductor 威世 Tvs Diode 9vwm 15.4vc Do-215aa 搜索库存
替代型号SMBJ9.0A-M3/5B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ9.0A-M3/5B

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AA

当前型号

Tvs Diode 9vwm 15.4vc Do-215aa

当前型号

型号: SMBJ9.0A-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-214AA

完全替代

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SMBJ 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

SMBJ9.0A-M3/5B和SMBJ9.0A-E3/52的区别

型号: SMBJ9.0A-E3/5B

品牌: 威世

封装: SMB

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 9V 600W 2Pin SMB T/R

SMBJ9.0A-M3/5B和SMBJ9.0A-E3/5B的区别

型号: SMBJ9.0AHE3/52

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 9V 600W 2Pin SMB T/R

SMBJ9.0A-M3/5B和SMBJ9.0AHE3/52的区别