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SMCJ85AHE3/9AT

SMCJ85AHE3/9AT

数据手册.pdf
SMCJ85AHE3/9AT中文资料参数规格
技术参数

工作电压 85 V

击穿电压 94.4 V

钳位电压 137 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 94.4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

SMCJ85AHE3/9AT引脚图与封装图
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在线购买SMCJ85AHE3/9AT
型号 制造商 描述 购买
SMCJ85AHE3/9AT Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Uni-Dir 85V 1.5kW 2Pin SMC T/R 搜索库存
替代型号SMCJ85AHE3/9AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMCJ85AHE3/9AT

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AB

当前型号

Diode TVS Single Uni-Dir 85V 1.5kW 2Pin SMC T/R

当前型号

型号: SMCJ85A-E3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 85V 1.5kW 2Pin SMC T/R

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品牌: 威世

封装:

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