SMCJ85AHE3/9AT中文资料参数规格
技术参数
工作电压 85 V
击穿电压 94.4 V
钳位电压 137 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 94.4 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
外形尺寸
封装 DO-214AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SMCJ85AHE3/9AT引脚图与封装图
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在线购买SMCJ85AHE3/9AT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMCJ85AHE3/9AT | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 85V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 搜索库存 |
替代型号SMCJ85AHE3/9AT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMCJ85AHE3/9AT 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AB | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 85V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 当前型号 |
| 型号： SMCJ85A-E3/9AT 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 85V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ85AHE3/9AT和SMCJ85A-E3/9AT的区别 |
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| 型号： SMCJ85A-E3/57T 品牌： 威世 封装： SMC | 功能相似 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1500W 85V Unidirect | SMCJ85AHE3/9AT和SMCJ85A-E3/57T的区别 |