SMCJ26A-M3/9AT中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 28.9 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB-2
外形尺寸
封装 DO-214AB-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
SMCJ26A-M3/9AT引脚图与封装图
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在线购买SMCJ26A-M3/9AT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMCJ26A-M3/9AT | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,26V 5%,UNIDIR,SMC TVS | 搜索库存 |
替代型号SMCJ26A-M3/9AT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMCJ26A-M3/9AT 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,26V 5%,UNIDIR,SMC TVS | 当前型号 |
| 型号： SMCJ26A-E3/9AT 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1500W 26V Unidirect | SMCJ26A-M3/9AT和SMCJ26A-E3/9AT的区别 |
| 型号： SMCJ26AHE3/9AT 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 26V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified | SMCJ26A-M3/9AT和SMCJ26AHE3/9AT的区别 |
| 型号： SMCJ26AHE3/57T 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | DIODE 1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2Pin, Transient Suppressor | SMCJ26A-M3/9AT和SMCJ26AHE3/57T的区别 |