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SMCJ18A-M3/57T

SMCJ18A-M3/57T

数据手册.pdf
SMCJ18A-M3/57T中文资料参数规格
技术参数

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 20 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

SMCJ18A-M3/57T引脚图与封装图
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在线购买SMCJ18A-M3/57T
型号 制造商 描述 购买
SMCJ18A-M3/57T Vishay Semiconductor 威世 ESD Suppressors / TVS Diodes 1.5kW,18V 5%,UNIDIR,SMC TVS 搜索库存
替代型号SMCJ18A-M3/57T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMCJ18A-M3/57T

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AB

当前型号

ESD Suppressors / TVS Diodes 1.5kW,18V 5%,UNIDIR,SMC TVS

当前型号

型号: SMCJ18AHE3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 18V 1.5kW 2Pin SMC T/R

SMCJ18A-M3/57T和SMCJ18AHE3/9AT的区别

型号: SMCJ18A-E3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 18V 1.5kW 2Pin SMC T/R

SMCJ18A-M3/57T和SMCJ18A-E3/9AT的区别

型号: SMCJ18A-M3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214AB

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 18V 1.5kW 2Pin SMC T/R

SMCJ18A-M3/57T和SMCJ18A-M3/9AT的区别