SM8S12HE3/2D中文资料参数规格
技术参数
工作电压 12 V
击穿电压 13.3 V
钳位电压 22 V
脉冲峰值功率 6600 W
最小反向击穿电压 13.3 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-218AB-2
外形尺寸
封装 DO-218AB-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SM8S12HE3/2D引脚图与封装图
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在线购买SM8S12HE3/2D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SM8S12HE3/2D | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S12AHE3_A/I | 搜索库存 |
替代型号SM8S12HE3/2D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SM8S12HE3/2D 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-218AB | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S12AHE3_A/I | 当前型号 |
| 型号： SM8S12-E3/2D 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S12AHE3_A/I | SM8S12HE3/2D和SM8S12-E3/2D的区别 |
| 型号： SM8S12AHE3_A/I 品牌： 威世 封装： | 类似代替 | Tvs Diode 19.9vc 332A Do-218ab | SM8S12HE3/2D和SM8S12AHE3_A/I的区别 |