SI9936DY,518
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
SI9936DY,518中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 9 ns
额定功率Max 900 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI9936DY,518引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI9936DY,518 | NXP 恩智浦 | MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1 | 搜索库存 |