STS7C4F30L中文资料参数规格
技术参数
额定电流 7.00 A
极性 N+P
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 35.0 ns
输入电容Ciss 1050pF @25VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
STS7C4F30L引脚图与封装图 
STS7C4F30L引脚图
STS7C4F30L封装图
STS7C4F30L封装焊盘图
在线购买STS7C4F30L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS7C4F30L | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道30V - 0.018欧姆 - 7A SO- 8 P沟道30V - 0.070欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STS7C4F30L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STS7C4F30L 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC N+P 30V 7A | 当前型号 | N沟道30V - 0.018欧姆 - 7A SO- 8 P沟道30V - 0.070欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SI4542DY 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 6A 28mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4542DY 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.5 V | STS7C4F30L和SI4542DY的区别 |