SH8M70TB1
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SH8M70TB1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 250 V
输入电容Ciss 180pF @25VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SH8M70TB1引脚图与封装图
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