SP8M8TB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SP8M8TB中文资料参数规格
技术参数
额定电流 6.00 A
极性 N+P
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 25.0 ns
输入电容Ciss 520pF @10VVds
额定功率Max 2 W
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SP8M8TB引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SP8M8TB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SP8M8TB 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOIC N+P 30V 4.5A | 当前型号 | SOP N+P 30V 6A/4.5A | 当前型号 |
| 型号： SP8M8FU6TB 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP N-Channel 30V 6A 4.5A | 功能相似 | SOP N+P 30V 6A/4.5A | SP8M8TB和SP8M8FU6TB的区别 |
| 型号： SP8M8 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | 开关 Switching | SP8M8TB和SP8M8的区别 |