SP8M9TB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SP8M9TB中文资料参数规格
技术参数
额定电流 9.00 A
极性 N+P
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 30.0 ns
输入电容Ciss 1190pF @10VVds
额定功率Max 2 W
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SP8M9TB引脚图与封装图
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