SP8M6TB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SP8M6TB中文资料参数规格
技术参数
额定电流 5.00 A
通道数 2
漏源极电阻 51 mΩ
极性 N+P
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 15.0 ns
输入电容Ciss 230pF @10VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SP8M6TB引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SP8M6TB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SP8M6TB 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOIC N+P 30V 3.5A | 当前型号 | SOP N+P 30V 5A/3.5A | 当前型号 |
| 型号： SP8M6 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP N+P 30V 5A 3.5A | 功能相似 | 开关 Switching | SP8M6TB和SP8M6的区别 |