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RGCL80TS60GC11

RGCL80TS60GC11

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电子元器件分类

单晶体管, IGBT, 65 A, 1.4 V, 148 W, 600 V, TO-247N, 3 引脚

IGBT Trench Field Stop 600V 65A 148W Through Hole TO-247N


得捷:
IGBT


贸泽:
ROHM Semiconductor


e络盟:
单晶体管, IGBT, 65 A, 1.4 V, 148 W, 600 V, TO-247N, 3 引脚


RGCL80TS60GC11中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 148 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 148 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

RGCL80TS60GC11引脚图与封装图
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RGCL80TS60GC11 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 单晶体管, IGBT, 65 A, 1.4 V, 148 W, 600 V, TO-247N, 3 引脚 搜索库存