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PZTA42E6327

PZTA42E6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
PZTA42E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 500 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PZTA42E6327引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PZTA42E6327
型号 制造商 描述 购买
PZTA42E6327 Infineon 英飞凌 Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R 搜索库存
替代型号PZTA42E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PZTA42E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-223 300V 500mA

当前型号

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

当前型号

型号: PZTA42H6327XTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223-4 NPN 1500mW

完全替代

SOT-223 NPN 300V 0.5A

PZTA42E6327和PZTA42H6327XTSA1的区别

型号: PZTA42T1

品牌: 安森美

封装: SOT-223 NPN 300V 500mA

类似代替

NPN硅高压晶体管表面贴装 NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT

PZTA42E6327和PZTA42T1的区别

型号: PZTA42

品牌: 恩智浦

封装: SOT-223 NPN 1.2W

类似代替

NXP  PZTA42  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 1.2 W, 100 mA, 40 hFE

PZTA42E6327和PZTA42的区别