PESD5V0L1USF-H250,
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PESD5V0L1USF-H250,中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 11 W
最小反向击穿电压 6 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 XFDFN-2
外形尺寸
封装 XFDFN-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PESD5V0L1USF-H250,引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PESD5V0L1USF-H250,
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PESD5V0L1USF-H250, | NXP 恩智浦 | DIODE ESD PROT LOW CAP SOD962 | 搜索库存 |
替代型号PESD5V0L1USF-H250,
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PESD5V0L1USF-H250, 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | DIODE ESD PROT LOW CAP SOD962 | 当前型号 |
| 型号： PESD5V0L1USF,315 品牌： 恩智浦 封装： SOD962 | 完全替代 | DIODE ESD PROT LOW CAP 5V SOD962 | PESD5V0L1USF-H250,和PESD5V0L1USF,315的区别 |